国家存储器基地使用松夏钢制弹簧隔振器

国家存储器基地 
国家存储器基地位于武汉光谷 [1]  。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场,DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断,尤其以韩国三星、SKHynix两家为首,共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继美国和韩国后,全球第三个掌握相变存储技术的国家。
项目开工编辑
2017年1月1日,总投资240亿美元的“国家存储器基地”项目在武汉东湖高新区正式开工。 
建设方编辑
“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。 [3] 
项目内容编辑
“国家存储器基地”项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。 [3] 
意义编辑
芯片国产化是中国在信息安全自主可控政策的实践领域之一,作为信息技术的基础产业,半导体集成电路持续受到了国家政策的扶持。而存储器是集成电路产业的基础产品之一,产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著,国家存储器基地的建立,标志着芯片国产化之路迈出可靠而重要的一步。 [2] 
案例合同:
案例合同1
案例合同2
 
产品简介:
产品图片
1、弹簧采用低频率值设计,并经喷塑处理,耐候性强,防震效果好。
2、顶部、底部均采用防滑耐磨橡胶以及固定螺栓,安全性能大大提高。
3、安装简单并根据实际需要调整水平及高度。
4、能够有效隔变压器的振动,并保护及延长其使用寿命。
国家存储器基地使用松夏钢制弹簧隔振器

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